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认识电路中的VMOS，辨别引脚符号
认识电路中的VMOS，辨别引脚符号www.kiaic.com/article/detail/345.html 2018-03-27
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如何构建一个可以控制沟道电流的栅极（区）呢！其实很简单！
目前大致有两种办法，一种是用两个相同的半导体构建栅区，这两个栅区就像水龙头的阀芯与阀座，所不同的是，阀座是固定的，而两个栅区都是“挪动”的，即两个栅区同时控制导电通道的宽窄大小从而控制流过通道的电流的大小，控制办法是应用电场构成根本不导电的“...www.kiaic.com/article/detail/351.html 2018-03-27
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双栅mos管场效应管及基本特征
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个栅极都可以对沟道进行控制，目的是为了控制的便利性与独立性，尤其是有两个控制量的时候，就像一个水池装两个水龙头，可以更加方便地控制流量。www.kiaic.com/article/detail/348.html 2018-03-27
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N沟道,P沟道MOS管原理是什么？FET是如何工作的？
场效应管只靠“多子”米导电，换言之，只靠一种极性的载流子导电；而BJT（双极性晶体管）则同时靠“多子”和与之极性相反的“少子”停止导电，因而场效应管属于单极性晶体管，只是很少这样称谓它而已。场效应管的工作原理能够用水龙头来做类比，只是不晓得最初...www.kiaic.com/article/detail/350.html 2018-03-27
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mos管芯片-常用mos管芯片的应用封装结构分析-KIA MOS管
HEXMOS与管芯构造 为了增加水龙头的流量，水龙头能够将口径做得很大，这时分的水龙头一般称为“阀门”，当然也能够用多个小口径的水龙头来替代，只是工程上很少这样用。 功率晶体管恰恰采用的是第二种办法，用无数个“小晶体管”构成更大功率的晶体管，假...www.kiaic.com/article/detail/352.html 2018-03-27
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MOS的集成：CMOS、BICMOS/BIMOS、HV-CMOS这几个型号是有什么区别
MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互补型金属氧化物半导体)是目前比拟成熟的半导休集成下艺之一，能够了解为集成电路中的横向构造MOSFET，为了进步开关速度，降低功耗，采用一个N沟道(NMOS)和一个P沟道(PMOS)的互补构造作为一个MOSFET...www.kiaic.com/article/detail/353.html 2018-03-27
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mos管电压规格是什么，什么是VMOS管栅极
对于VMOS而言，栅极悬空无论是何种条件下都是应该尽量避免的，稍有不慎，就会导致VMOS击穿损坏。这时候的击穿一般是栅极与源极击穿，而不管源极、漏极间的电压是高还是低。 除了槽栅结构的VMOS，零栅压、反相偏置、旁路情况下测得的击穿电压是大致相等的；对于...www.kiaic.com/article/detail/354.html 2018-03-27
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如何选择场效应管，场效主要有什么特点，一看就懂
常用场效应管主要有结型场效应管、耗尽型绝缘栅场效应管、加强型绝缘栅场效应管、双栅场效应管、功率场效应管等。www.kiaic.com/article/detail/355.html 2018-03-27
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槽栅MOS器件优势是什么包括理论及实验动研究
槽栅构造有利于进步电流控制才能，但是结电容大，不利于工作频率的提高。将平而栅极构造与双扩散有机分离起来，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，横向双扩散MOSFET)www.kiaic.com/article/detail/356.html 2018-03-27
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MOS 管封装有哪些-半导体器件封装是有什么区别-什么特点？
KIA封装小型化的趋向小仅仅是为了顺应轻薄产品的需求，更为重要的是进步性价比：封装本钱、物流（重量轻了、体积小了）、热阻、EMI（引线电感减小了）均有降落的趋向。www.kiaic.com/article/detail/358.html 2018-03-27
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判断测量mos管最有效的方法是什么-这里有几种经验
用万用表判别KIA器件VMOS的引脚和好坏判别VMOS的引脚需求以下几步，请留意，这是在你能肯定VMOS完好的状况下停止的判别，假如不晓得它的好坏，请先参考本节内容的第2局部。www.kiaic.com/article/detail/359.html 2018-03-27
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mos管场效应管功率规格型号有哪些？
PD、Ptot的含义略有差别，有些制造商则会忽略了两者的差别。通常所说的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot额定值。PD的含义是“Under Specified Heat Conditions，Maximum Allowable Val-ue of Constant Drain Power Dissipation”（给定散热条件下，漏极允许的...
www.kiaic.com/article/detail/360.html 2018-03-27
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功率MOSFETt模块,功率模块最全面解决方案
模块(Module)是将多个管芯组装到同一个密封外壳内的电路组件，目的是为了取得更大的电流规格或者电压规格，根本的办法是并联（取得大电流）和串联（取得高耐压），由于串联需求特殊的隔离驱动电路，因而常见的模块是大电流规格的并联类型。 假如具备相当的技...www.kiaic.com/article/detail/361.html 2018-03-27
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VMOS的选择原因有那几个方面， 电流规格 开启电压 解决方法是什么
电压规格(VDSS)：俗称耐压，至少应该为主绕组的3倍，需求留意的是，主绕组的电压指的是图2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。详细而言，图中为10.5V，因而Q1、Q2的电压规格至少为31.5V，思索到10%的动摇和1.5倍的保险系数，则电压规格不应该低于31.5 X 1.1X 1.5...
www.kiaic.com/article/detail/363.html 2018-03-27